КТ222(А,Б,В)С(9) - согласованная пара кремниевых NPN-типа проводимости
транзисторных структур.

ОСОБЕННОСТИ

     - Диэлектрическая изоляция;
     - Монолитная конструкция;
     - Близкое соответствие параметров от 10мкА до 1 мА - коэффициента
       усиления по постоянному току и напряжению база-эмиттер (100%
       тестирование);
     - Превосходное тепловое соответствие;
     - Низкая взаимная емкость;
     - Применяется для гибридных сборок и схем дифференциальных усилителей;
     - Коллекторы транзисторов изолированы друг от друга, а также от
       нижней части кристалла;
     - Поставка в корпусах DIP-8, SO-8 или в кристаллах;
     - Температура окружающей среды - минус 45°С - плюс 85°С.